什么是半导体和晶体管_什么是半导体和晶体管

深圳同惠科技申请半导体晶体管性能测试方法专利，可提高半导体性能...财经界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市同惠科技有限公司申请的项目名为" 《半导体晶体管的性能测试方法、测试装置及存储介质》专利，公开号CN118837706A，申请日期为2024年8月。 专利摘要表明，本发明涉及半导体晶体管检测技术领域，特别是半导体晶体管的特性...

台积电获得半导体器件及半导体晶体管器件的形成方法专利，增加一半...2024年3月28日金融界消息，国家知识产权局消息 公告，台积电股份有限公司获得一项名为"半导体器件及形成半导体晶体管器件的方法"的项目，授权公告号为CN113517227B，申请日期为2021年3月。 专利摘要展示了一种形成半导体晶体管器件的方法。 该方法包括在基材上形成Fin...

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三星申请纳米片晶体管半导体器件专利。半导体器件可包括衬底和...财经新闻2024年4月9日，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司申请了一项名为"包括纳米"的专利 《SemiconductorDeviceswithChipTransistors》，公开号CN117855249A，申请日期为2023年9月，专利摘要显示，该半导体器件可以包括：包括第一行器件和第二行器件的衬底，其中衬底的表面设置在第一方向并垂直于第一方向。

C2Ampere已获得垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及其形成...财经界消息2024年11月6日，国家知识产权局信息显示，C2Ampere股份有限公司已获得名为"C2Ampere"的项目 《垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及其形成方法》专利，授权公告号CN110574168B，申请日期为2018年5月。

PowerSource获得直流开关专利，以提高金属氧化物半导体场效应晶体管的安全性...发明的目的是提高直流开关中金属氧化物半导体场效应晶体管的安全性。 它包括开关主电路、驱动控制电路和开关采样电路。开关主电路包括MOS管。驱动控制电路的输入端用于连接控制器的输出端。驱动控制电路的输出端连接到MOS管；开关采样电路电路包括输入电压采样电路和输出电流...

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台积电获得晶体管及半导体器件专利，有效分离STI结构与源、漏区。据财经界消息，2024年1月29日，国家知识产权局公告，台积电 一项名为"晶体管和半导体器件"，授权公告号为CN220400594U，申请日期为2023年5月。 专利摘要显示，该实用新型涉及晶体管和半导体器件。 这些半导体器件包括衬底和设置在衬底中的掺杂区域...

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长鑫存储器申请晶体管、半导体结构、存储器及其形成方法专利，2024年3月29日财经消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储器科技有限公司申请专利 它是《晶体管、半导体结构、存储器和形成方法》，公开号CN117790564A，申请日期为2022年9月。 专利摘要表明，本公开的实施例提供了晶体管、半导体结构、存储器以及形成半导体结构、存储的方法……

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晶峰明源获得结型场效应晶体管及半导体器件专利。据财经新闻2024年9月30日，国家知识产权局信息显示，上海晶峰明源半导体有限公司获得结型场效应晶体管及半导体器件专利。 《型场效应晶体管及半导体器件》专利，授权公告号为CN113097309B，申请日期为2021年3月。

长鑫存储器获得半导体存储器晶体管结构及制造方法专利，减少...金融行业消息2024年3月27日，根据国家知识产权局公告，长鑫存储器科技有限公司已获得一项半导体存储器晶体管结构及制造方法专利。 其标题为《半导体存储器的晶体管结构及其制造方法》，授权公告号为CN110299324B，申请日期为2018年3月。 专利摘要显示，本发明提出了一种半导体存储器的晶体管结构及其制造方法。该方法包括：形成...

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京东方申请纳米线、薄膜晶体管制备方法、薄膜晶体管及半导体器件……金融界消息2024年1月26日，根据国家知识产权局公告，京东方科技集团有限公司申请的项目名为"京东方科技集团有限公司"。 《纳米线、薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和半导体器件》，公开号CN117461144A，申请日期为2022年5月。 专利摘要表明，本发明提供了一种纳米线、薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及半...