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无锡墨芯半导体申请专利，提高FLASH程序效率，有效缩短总线...2024年10月9日财经界消息，国家知识产权局信息显示，无锡墨芯半导体有限公司申请了一项名为"提高FLASH程序效率的方法"的专利，公开号CN118747067A，申请日期为2024年6月。 专利摘要表明，本发明提供了一种提高FLASH编程效率的方法，涉及计算机技术领域。该方法...

GigaDeviceInnovation：MCU产品广泛应用于光伏逆变器和储能领域。Flash产品适用于...公司回应：公司MCU产品已广泛应用于光伏逆变器和储能领域。 储能领域有逆变控制、数据监控、通信传输、人机交互、电弧检测与快速关断、性能优化、BMS检测与保护、光伏配件等多种应用场景。 该公司的Flash产品专为可能存在热冲击、振动和电压不稳定等问题的恶劣环境而设计，适合...

西蒙电气申请数据读写操作控制延长闪存使用寿命...金融行业消息2024年9月26日，国家知识产权局信息显示，西蒙电气（中国）有限公司申请了一项名为"延长闪存使用寿命的数据读写操作控制方法"专利，公开号为CN118689371A，申请日期为2023年3月。 专利摘要显示，本发明涉及一种延长闪存使用寿命的数据...

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上海酷易申请了一种小型嵌入式Flash文件系统专利，以提高Flash读写效率。金融行业消息，2024年9月26日，国家知识产权局信息显示，上海酷易信息科技有限公司申请了一项"小型嵌入式Flash文件系统"专利，公开号为CN118689839A，申请日期为2024年7月。 专利摘要显示，本发明涉及一种小型嵌入式Flash文件系统，应用于音频文件流式解码的读取。该系统...

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苏州元奥智能科技申请了非易失性闪存保护专利，提高了对FLASH数据的保护...使得对频繁读写分区的读写操作转换为对内存的读写操作；从而触发事件将内存中的数据同步到非易失性闪存中。因为直接读写内存比直接读写效率更高读写FLASH，提高了FLASH数据的读写效率，并且只有当同步触发事件发生时，才会执行FLASH写操作，从而减少了FLAS...

江波龙涨5.12%至88.32元/股。10月14日，江波龙盘中上涨5.12%，截至13:20至88.32元/股，成交额5.17亿元，换手率5.23%，总市值367.39亿元。 资料显示，深圳市江博隆电子有限公司位于深圳市前海深港合作区南山街道听海大道5059号宏荣源前海金融中心二期B栋2001、2201、2301室。公司主营业务为Flash和DRAM...

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高可靠性NOR串行闪存产品普兰股价上涨5.17%至每股80.4元。 公司的NOR串行闪存产品具有具有竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势，其130nm非易失性IICEEPROM存储器具有业界领先的400万擦写寿命、6K静电防护能力以及极低的工作电流和静态功耗，广泛应用于智能电网、汽车前装、工业控制等领域。

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东芯股份：专注研发中小容量NANDFlash、NORFlash、DRAM产品...据金融界消息，3月22日，有投资者在互动平台询问东芯股份：您好，你们公司研发存储芯片有什么爆款？公司回应：公司专注于研发、设计和制造销售中小容量NANDFlash、NORFlash、DRAM产品。产品广泛应用于网络通讯、监控与安防、消费电子等领域 、工业和医疗领域。 。 公司将积极...

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三星NANDFlash芯片工厂进一步涨价，明年第一季度和第二季度环比涨幅达20%[三星NANDFlash芯片工厂明年第一季度进一步涨价]【环比和第二季度上涨20%】《科创板日报》2日报道称，根据半导体行业多方消息，三星决定本季度将其NANDFlash芯片报价上涨10%至20%。 一、二季度报价逐季上涨20%，超出行业预期。 （台湾经济日报）

NANDFlash晶圆价格上涨SK海力士成功研发1Cnm工艺|投资研究报告永兴证券近日发布电子行业存储芯片每周追踪：NANDFlash晶圆价格上涨SK海力士成功研发1CNM工艺。 以下为研究报告摘要：NAND：2024Q2NAND颗粒市场价格小幅波动，消费类NANDFlash零售渠道出货量大幅下降。 据DRAMexchange统计，上周22类NAND颗粒现货价格(0826-0830)...