什么是半导体绝缘体_什么是半导体绝缘体

武汉新芯已获得半导体衬底绝缘体及其制造方法专利。据财经新闻2024年11月13日，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路有限公司已获得一项名为"绝缘体上"的专利。 《半导体衬底及其制造方法》专利，授权公告号为CN115188704B，申请日期为2022年7月。

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卓胜微已申请一种优化绝缘体对半导体的结构结合效果的方法及结构专利，以改善...金融行业动态2024年6月21日，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微 电子有限公司申请的项目名称为"优化半导体在绝缘体上的键合效果的方法和结构"，公开号CN202410274364.2，申请日期为2024年3月。 专利摘要显示，本申请公开了一种用于优化半导体在绝缘体上的键合效果的方法和结构...

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台积电获得绝缘体上半导体基板、其形成方法及集成电路专利，实现...财经界消息，据国家知识产权局台积电股份有限公司公告，2024年4月13日 该项目名称为"半导体基底绝缘体及其形成方法和集成电路"，授权公告号为CN110957257B，申请日期为2019年2月。 专利摘要表明，本申请的各个实施例涉及一种形成无空隙和/或无空隙的联合界面的方法。

杭州集海半导体应用于金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法专利，避免引入...财经界消息2024年11月15日，国家知识产权局信息显示，杭州集海半导体有限公司申请了一项名为"金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法"专利 "专利，公开号CN118943128A，申请日期为2024年10月。 专利摘要表明，本发明提供了一种金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法，属于半导体器件制造技术...

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...该专利技术可实现半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极...财经界2024年3月18日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司。 其中一个项目名为"紫外半导体发光器件"，授权公告号为CN110010734B，申请日期为2018年12月。 专利摘要显示，紫外半导体发光器件包括半导体叠层、沟槽、填充绝缘体以及第一和第二电极。 这些半导体堆栈包括第一导体...

智能开发的帮手！发展不到200年的半导体能为未来提供什么？在阅读本文之前，为了方便您的讨论和分享，请点击"关注"为您带来不同意见。 有参与意识，感谢您的支持。 编辑/江盘玉罗半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料。它们的主要特点是在一定条件下既能表现出一定的导电性，又能表现出一定的电阻。非纯状态下，半...

意法半导体宣布与三星联手推出18纳米FD-SOI工艺以支持嵌入式PCMIT首页据3月21日消息，意法半导体宣布将与三星联合推出18nmFD-SOI工艺。 该工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。 ITHomeNote：FD-SOI，全耗尽硅绝缘体，是一种平面半导体工艺技术，可以通过相对简单的制造步骤实现出色的漏电流控制。 意法半导体表示，与目前使用的相比...

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2024年半导体企业CRM研究本文是2024年半导体企业CRM的研究报告，探讨了半导体行业的数字化趋势、选型难点、国内市场结构以及具体案例分析，并提出CRM选型建议。 半导体的定义是室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。 在互联网时代，可以毫不夸张地说，涉及半导体的芯片就是我们的...

台积电获得CN220914204改进半导体裸芯片封装及半导体器件专利...台湾中积电获得"半导体裸芯片封装及半导体器件封装"专利，授权公告号CN220914204U，申请日期为2023年7月。 专利摘要表明，本发明的实施例涉及半导体裸芯片封装和半导体器件封装。 这些半导体裸芯片封装包括：裸芯片；绝缘体层；裸芯片与绝缘体层之间的连接结构；...

苏州观云微申请一种半导体设备电连接组件专利，实现半导体设备...金融界消息2024年11月12日，国家知识产权局信息显示，苏州观云微电子科技有限公司申请了专利 专利名称为"一种半导体设备的电气连接组件"，公开号CN118920159A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，本发明公开了一种用于半导体设备的电连接组件，包括壳体、第一绝缘体、第二绝缘体……

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