flash是哪个国家_flash是哪个国家的

＞﹏＜

深圳宏旺微电子获得一项NANDFlash测试电路及测试方法专利。据财经新闻2024年11月30日，国家知识产权局信息显示，深圳宏旺微电子有限公司获得一项名为"NANDFlash测试电路及测试方法"的专利。 专利《一种NANDFlash测试电路及测试方法》，授权公告号CN112071354B，申请日期为2020年7月。

?＾?

中联半导体申请定性表征2DNANDFLASH存储器及相关耐用性的方法...财经界消息2024年11月28日，国家知识产权局信息显示，中联半导体（上海）有限公司申请了一种定性表征2DNANDFLASH存储器耐用性的方法 该专利名称为"一种定性表征2DNANDFLASH存储器耐用性的方法及相关装置"，公开号为CN119028403A，申请日期为2024年8月。 专利摘要表明，本发明公开了2DNANDFLASH存储的定性表示...

●＾●

...申请数据合并专利可以尽可能减少L2P表操作，提高Flash的整体质量。金融行业消息2024年11月30日，国家知识产权局信息显示，深圳市三迪易鑫电子有限公司 申请一个名为"数据合并方法，设备，存储控制核心..."的项目，方法包括：判断Flash是否满足预设的合并条件，如果满足，则确认要合并的块序列；如果不满足，则循环判断，直到满足预设的合并条件；建立块序列中的每个位...

∩▽∩

无锡墨芯半导体有限公司已获得一项FLASH控制器预取和读取缓存的方法专利。据财经新闻2024年11月27日，国家知识产权局信息显示，无锡墨芯半导体有限公司已获得一项名为" 《一种FLASH控制器预取及读取缓存的方法》专利，授权公告号CN118656309B，申请日期为2024年5月。

晶存科技启动新IPO辅导项目，年产5000万颗闪存芯片。紫禾资本、大辰...是一家集存储芯片测试与销售为一体的国家级高新技术企业。产品包括NANDFLASH主控芯片、eMMC、 DDR3/4、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等，涵盖消费级、工业级、汽车级内存芯片。 新项目年产5000万颗闪存芯片，已被江波龙诉侵权。晶存科技目前已完成3...

芯天下申请了一种Flash良率改进方法专利，以提高Flash的良率。据金融界消息，2024年3月23日，根据国家知识产权局公告，芯世界科技有限公司申请了一项名为"Flash良率"的专利。 《改进的方法、编程方法及相关设备》，公开号CN117743204A，申请日期为2023年12月。 专利摘要表明，本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种提高闪存良率的方法、编程方法及相关...

＋▽＋

2024年1月1日，国家知识产权局发布公告，拓邦科技获得闪存读取专利，有效提高历史数据读取效率...金融行业动态中科院科技有限公司已获得一项名为"一种闪存中历史数据读取方法及装置"的项目，授权公告号为CN109299018B，申请日期为2018年8月。 专利摘要表明，本发明适用于计算机技术领域，提供了一种读取闪存中历史数据的方法以及...

ˋ▂ˊ

赛迪龙申请NORFLASH启动数据存储系统及改进NORFLASH的方法专利...财经界2024年3月29日消息，根据国家知识产权局公告，北京雪隆科技有限公司申请专利 它是《NORFLASH启动数据存储系统及方法》，公众号CN117785024A，申请日期为2023年11月。 专利摘要显示，本发明属于NORFLASH数据存储技术领域。 本发明提供了NORFLASH引导数据存储...