什么是p n型半导体

扬杰科技申请了一种多导沟道平面栅极MOSFET及其制备方法专利，减少...涉及半导体技术领域。 器件的P体区和P+沟道区之间形成薄N+层。在关断状态下，G电极上不施加电压，N+层完全夹在P体区和P+沟道区之间。 耗尽型、不导电，在开路状态下，当G电极施加正电压时，栅氧化层一侧的P+沟道区形成反型层导电沟道。同时，由于G电极施加正电压，形成P体区和P+沟道。 ..

Weil有限公司申请了半导体器件的专利，可以在不限制使用寿命的情况下获得...半导体器件（10）包括：半导体基板（12）； 阳极电极(20)，形成在半导体衬底(12)的一侧表面上；阴极电极(22)，形成在半导体衬底(12)上；播放器(16)，形成在半导体衬底(12)的阳极电极(20)一侧；以及N层(14)，形成在阳极电极(20)上 )半导体基板(12)的一侧、阴极电极(22)一侧和播放器(16)的另一侧。 阴极...

佩里公司已申请反向电阻门极换流晶闸管RB-GCT器件，具有波纹端子结构和...阳极P-区、阳极P+区和阳极铝层。 在末端区域，阳极和阴极均设有钝化层、浅沟槽、末端P区和N基区。 终端边缘设有N型截止环。 这头发...分别高出6.47%5.26%，且阳极和阴极决定簇与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低。波纹P区端子结构广泛适用于深结功率半导体器件。