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如何申请p卡_如何申请p卡

时间:2024-08-23 00:41 阅读数:5323人阅读

太钢不锈钢已申请一种易加工、高硬化奥氏体不锈钢及其制造方法、产量专利……申请日期为2024年5月。 专利摘要显示,本发明属于奥氏体不锈钢技术领域,涉及一种易于加工的高硬化奥氏体不锈钢及其制造方法。 本发明提供的易加工高硬化奥氏体不锈钢,其重量百分比为:C≤0.12%,Si≤1.00%,Mn:2.50%~4.50%,P≤0.045%,S≤0.030%,Cr:16.00%~18.00%,Ni:5。 ..

如何申请p卡

贝达药业申请P300抑制剂专利及其在医学上的应用。该专利技术可实现...金融界消息2023年12月29日,据国家知识产权局公告,贝达药业股份有限公司申请名为"P300"的项目抑制剂及其在医学中的应用》,出版物号CN117321053A,应用< /b>日期是2022年6月。 专利摘要显示,该专利涉及式(I)化合物、其异构体、氘化产物、其药学上可接受的盐、其制备方法、以及该化合物的医药用途...

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北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流...2024年3月26日财经界消息,根据国家知识产权局公告,北京大学申请的专利为"p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法",公开号为CN117766561A,申请日期为2023年5月。 专利摘要显示,本发明公开了一种SAP沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底和依次堆叠在衬底上的层...

天悦高新科技申请P型碳化硅晶体专利,最大电阻率≤3*cm。金融行业消息2023年12月29日,据国家知识产权局公告,山东天悦高新科技有限公司正在申请专利。 其名称为"AP型碳化硅晶体",公开号为CN117305983A,申请日期为2023年8月。 专利摘要表明,本发明提供了一种P型碳化硅晶体,涉及碳化硅晶体生长技术领域。 P型碳化硅晶体最大电阻率≤...

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时创能源申请背面P-I-N结构制备方法及高效晶体硅电池制备方法专利...2024年7月5日金融界消息,天眼链知识产权信息显示,常州时创能源有限公司申请专利,项目名称为"背面P-I-N结构制备方法及制备方法"高效晶体硅电池的制备方法",公开号CN202410478855.9,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种背面P-N结构的制备方法...

巴黎奥运会个人卡有了新规则,三名国乒选手参赛,范振东持续低迷,王楚钦状态不稳定。现在巴黎奥运会个人卡有了新规则,即任何团体比赛都可以申请至少2小时。 更换球员。 例如,男队的1/8决赛正常进行,而国乒队在1/4决赛中将使用P卡。可以直接换人,但只能进行一次。P卡出现后,比赛必须打到最后。 以往,团体赛必须在团体赛开始前两天提交申请卡。东京奥运会使用了王曼昱的申请卡,取代了刘...

打造独特的一体化商业模式,泛娱乐产品行业领先的卡牌游戏玩家向港交所提交上市申请。据港交所消息,国内领先的卡牌制造商和运营商卡牌游戏股份有限公司向港交所提交了上市申请。 。 摩根士丹利亚洲有限公司、中国国际金融香港证券有限公司及摩根大通证券(远东)有限公司为联席保荐人。 卡友有限公司是中国泛娱乐产品的开创者和领导者。 该公司受益于卓越的产品经验,...

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