什么是半结构和非结构

江苏林阳太阳能获得一种非对称半片结构背接触电池专利，有效降低...金融行业消息2024年10月1日，国家知识产权局信息显示，江苏林阳太阳能股份有限公司获得一项专利 该专利名称为"一种非对称半芯片结构的背接触电池"，授权公告号为CN221783218U，申请日期为2023年12月。 专利摘要显示，本实用新型公开了一种非对称半片结构的背接触电池。该背接触电池包括...

...通过关键字强制规则匹配，可以对非和半结构化数据进行标签，并将海量...业务标签和情感标签存储到数据库中；如果不匹配，业务标签结果将单独存储在指定数据中；S6.通过BI分析工具读取数据结果，进行数据分析和图形显示。 该方法通过关键词强制规则匹配，实现对非和半结构化数据的标签化处理，从海量数据中提炼出客户行为分析价值点，BI表格直观呈现...

如何管理非结构化数据？根据调查，当前企业80%的数据是非结构化数据或半结构化数据，而结构化数据是他们管理的重点，而非结构化数据则被忽视。 但是，非结构化数据也有...什么是非结构化数据？说到结构化数据，我们首先要说一下结构化数据和非结构化数据的区别：非结构化数据和结构化数据的区别在于数据的组织方式...

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长兴存储适用于半导体结构和半导体结构的制造方法的专利，以改进半导体...本公开的实施例涉及半导体领域并提供半导体结构和半导体结构的制造方法。这些半导体结构包括：承载结构；承载结构上的交错堆叠 一种多层芯片模块；芯片模块包括面向区域和非面向区域；面向区域的芯片模块相互面对排列，相邻两层芯片模块的非面向区域交错排列；面向区域具有第一接口和第二接口；面向...

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长鑫存储科技有限公司申请半导体结构及其制造方法专利。该半导体结构包括基板和...长鑫存储科技有限公司申请"半导体结构及其制造方法"专利，公开号CN117542831A，申请日期为 2022年7月。 专利摘要显示，本公开的实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。这些半导体结构包括：衬底；第一堆叠结构，包括第一芯片和位于第一芯片上的第二芯片。 活性表面和...

北京兴飞电子申请非对称铜厚层压PCB结构及制备方法专利，可充分...金融行业消息2024年11月12日，国家知识产权局信息显示，北京兴飞电子股份有限公司申请专利 专利名称为"非对称铜厚层压PCB结构及制备方法"，公开号CN118921840A，申请日期为2024年9月。 专利摘要表明，提供了一种不对称铜厚层压PCB结构及制备方法。该非对称铜厚层压PCB结构包括：半固态...

...，非表面锅炉部件、压力容器及高端钢结构件的研发、生产和销售。据财经界7月21日消息，有投资者在互动平台询问博英特焊接：公司的 该技术还服务于电子、PCB、半导体、芯片行业的众多客户。为什么还没有推出？ 公司回复：公司主营业务为防腐耐磨堆焊设备、非堆焊锅炉部件、压力容器及高端钢结构件的研发、生产和销售。 公司的技术和产品目前主要应用于...

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芯龙科技获得功率芯片及电源结构专利，解决非隔离功率芯片问题...金融行业消息，2024年2月5日，根据国家知识产权局公告，上海芯龙半导体科技有限公司 获得一个名为"电源芯片与电源结构"的项目，授权公告号为CN117118236B，申请日期为2023年10月。 专利摘要表明，本发明提供了一种功率芯片及电源结构。 该电源芯片是非隔离电源芯片，该电源芯片基于...

浙江创新集成电路股份有限公司申请半导体结构及半导体结构形成方法专利，以改善...浙江创新集成电路股份有限公司申请"半导体结构及半导体结构形成方法"专利，出版号：CN 119028809A，申请日期为2024年8月。 该专利摘要展示了一种半导体结构以及形成半导体结构的方法。该方法包括：提供晶圆，该晶圆包括功能表面和非功能表面；在功能表面的表面上形成功能层结构；获得...

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...降低外延结构的位错密度和失配应力，提高氮化物半导体LED器件的性能。本发明在耐高温衬底上制备具有半悬浮AlN结构的单晶氮化铝，并通过光介质材料覆盖非悬浮形式的单晶氮化铝。 AlN处于悬浮状态，并在悬浮状态下暴露。采用周期性分布的低位错密度和低失配应力的悬浮AlN表面作为氮化物半导体的形核生长区，外延界面由AlN/耐高温衬底改为。 氮化...