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时间:2024-08-24 17:33 阅读数:6742人阅读

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据报道,SK海力士将加快NAND闪存的开发,明年底前400层以上闪存将实现量产。钛媒体8月1日报道,据ETNews报道,SK海力士将加快下一代NAND闪存的开发,计划在2025年底完成400层NAND闪存。 +LayerstackedNAND量产准备,将于2026年第二季度正式量产。 (科创版日报)

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快速我们携手RISC-V公司Esperanto开发节能数据中心AI芯片节能计算解决方案设计公司,推出了RISC-V架构众核AI/HPC加速芯片ET-SOC-1。 该芯片采用台积电7nm工艺,包括108...Rapidus今年2月与另一家RISC-VAI芯片设计公司Tenstorrent达成2nmAI加速器合作协议。 Rapidus总裁JunyiKoike在昨天的新闻发布会上...

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