啥叫反向二极管_啥叫反向二极管

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上海超半导体申请了一种超级结开关器件专利，以改善体二极管的反向恢复特性。第一体区、辅助沟道区、第一掺杂柱、栅极绝缘层和栅极电极构成寄生金属氧化物半导体。 场效应晶体管；辅助沟道区的掺杂浓度用于调整寄生金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压的绝对值。 本发明实施例的技术方案有效提高了体二极管的反向恢复特性，且不影响器件的反向阻断特性。

中兴通讯已申请一项电源技术专利，解决输出功率大时二极管反向恢复损耗问题...申请日期为2022年5月。 专利摘要表明，本发明实施例提供了一种软开关电路单元和功率变换器。该技术包括：谐振电感、第一辅助开关、第二辅助开关和第一钳位二极管，其中每个元件构成特定的连接方法。 通过该技术，解决了当需要转换的输出功率较大时二极管反向恢复损耗较大的问题...

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...电源专利避免了由于反向恢复而导致自举二极管故障和性能下降的风险。第一开关管的第一端连接到第一电容器的第二端，第一开关管的第三端 两端通过限流电路连接至桥式驱动电路的功率端，当第一开关管导通时，功率端通过限流电路和第一开关管对第一电容进行充电，限流电路用于限制流向第一电容的流量。 充电电流。 通过以上设置，避免了自举二极管因反向恢复而失效的风险...

鼎新通讯应用一种雪崩光电二极管去校准方法专利，完成反向偏置电压的校准。本申请公开了一种雪崩光电二极管去校准方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：将待校准的APD放置在无光温控箱中，按照预设的温控顺序将待校准的APD置于不同温度的环境中；对待校准的APD施加逐渐增大的反向偏置电压计算每个温度的数据，并使用温度测量电阻和暗电流检测电路...

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...H3TR可靠性能力二极管及制备方法专利，改进了耐压二极管及整个器件的制备方法，涉及半导体器件。 本发明延长了P型掺杂区2的长度，从而能够在HV-H3TRB的高压高湿环境下保护碳化硅外延层，从而保护整个器件不被击穿。 本发明延长了P型掺杂区2的长度，使得端子的电场强度进一步分解，从而提高了整个器件的耐压能力。 本文来自财经...

三池（688536.SH）推出汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q，与肖特基二极管的VF值（约0.3V@1A）相比，相同条件下正向电压更低，热损耗更低。 这一改进显着降低，提高了系统的可靠性，有助于降低系统设计和运行成本；产品具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效保护与电池连接的模块和子系统；具有优异的冷启动性能，即使在冷...

扬杰科技申请了单芯片集成半桥及其制备方法专利，减少了封装工艺步骤...传统半桥器件需要两颗二极管芯片反向并联封装，封装工艺复杂，封装体较大。 从而导致器件的功率密度降低，成本增加。此时，半桥整流芯片在一个芯片上集成了两个反并联二极管，第一阳极到第一阴极区域的二极管水平导通，第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导通。 阴极区的二极管垂直导电，有效利用...

扬杰科技申请了半桥整流芯片及其制备方法专利，有效减少了封装工艺步骤...传统半桥器件需要两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺复杂，封装体较大，导致器件功率密度降低，成本增加，本例半桥整流芯片集成测试第一阳极到第一阴极区域内的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域内的二极管垂直导电。 该区域内的二极管水平导电，有效利用...

扬杰科技申请半桥整流芯片及其制备方法专利，提高器件功率密度...传统半桥器件需要两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺复杂，封装体较大，导致器件功率密度降低，成本增加，本例半桥整流芯片集成测试两个二极管芯片反并联一个芯片，第一阳极到第一阴极区域内的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域内的二极管垂直导电。 该区域内的二极管水平导电，有效利用...

Sripu：新款汽车级控制器的公告，Siruit公司发布了一款新产品汽车级理想二极管ORing控制器TPS65R01Q。 该产品具有低正向电压、低热损耗、电池反接保护和优异的冷启动性能，适用于工业控制、企业电源、汽车主机等多终端场景。 目前正处于小批量生产阶段，预计2024年批量上市。 本文源自FinancialAIT电报