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时间:2024-08-24 04:14 阅读数:2900人阅读

杰杰微电子获得具有过压斩波特性的晶闸管芯片及其制备方法专利...该芯片包括中间的N型长基极区N1、P型短基极区P2、P3、P4、P5、P6、P7、隔离墙P1、磷扩展区N2(或磷扩展区N2、N3、N4)等。 特别是:P型短基极区P4通过N型长基极区N1与P2和P3分开,P型短基极区P7通过N型长基极区N1与P5和P6分开;P型短基极区P4和P7与N型长基极区N1形成晶闸管...

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东微半导体申请可在TH型外延层中形成浅沟槽的半导体功率器件制造方法专利,包括:在浅沟槽中形成浅沟槽;在浅沟槽绝缘侧壁上形成浅沟槽;在TH型外延层中形成玛瑙结构;在栅极沟槽中形成玛瑙结构;进行斜型注入和退火在p型外延层体区中形成p型;在p型体区中进行斜型离子注入形成曼型源区;沉积绝缘介质层并蚀刻以形成接触...

东微半导体申请了半导体超结功率器件及其制造方法的专利,以实现短沟道...包括:n型半导体层;多个柱状绝缘层凹入型半导体层;位于柱状绝缘层的p型掺杂区和位于柱状绝缘层的侧壁和底部;p型体区位于柱状绝缘层中-型半导体层,位于柱状绝缘层的两侧;p型体区有n型源区;控制p型体区电流沟道开闭的门结构。 半导体超...

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