v翻p墙n_v翻领上衣

杰杰微电子获得具有过压斩波特性的晶闸管芯片及其制备方法专利...该芯片包括中间的N型长基极区N1、P型短基极区P2、P3、P4、P5、P6、P7、隔离墙P1、磷扩展区N2（或磷扩展区N2、N3、N4）等。 特别是：P型短基极区P4通过N型长基极区N1与P2和P3分开，P型短基极区P7通过N型长基极区N1与P5和P6分开；P型短基极区P4和P7与N型长基极区N1形成晶闸管...

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东微半导体申请可在TH型外延层中形成浅沟槽的半导体功率器件制造方法专利，包括：在浅沟槽中形成浅沟槽；在浅沟槽绝缘侧壁上形成浅沟槽；在TH型外延层中形成玛瑙结构；在栅极沟槽中形成玛瑙结构；进行斜型注入和退火在p型外延层体区中形成p型；在p型体区中进行斜型离子注入形成曼型源区；沉积绝缘介质层并蚀刻以形成接触...

东微半导体申请了半导体超结功率器件及其制造方法的专利，以实现短沟道...包括：n型半导体层；多个柱状绝缘层凹入型半导体层；位于柱状绝缘层的p型掺杂区和位于柱状绝缘层的侧壁和底部；p型体区位于柱状绝缘层中-型半导体层，位于柱状绝缘层的两侧；p型体区有n型源区；控制p型体区电流沟道开闭的门结构。 半导体超...