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华为获得PN结和调制器专利，提高调制效率，实现更高的光信号调制...文：11月7日金融界消息，根据国家知识产权局公告，华为技术有限公司获得一项名为"PN结和调制器"的专利，公开号CN113629129B，pat申请日期是2020年。 专利摘要表明本申请的实施例提供PN结和调制器。 PN结位于穿过N型区的第二个P型区，N型区的延伸方向是垂直的...

北京大学申请一种在GaN垂直结构中实现JTE结终端pn二极管的方法...北京大学申请一种方法，名为"AmethodforrealizingJTEjunctionterminationinGaNverticalstructionpnMethodforrealizingJTEjunctionterminationindiodes"，出版号CN117558620A，申请日期为2022年8月。 专利摘要表明，本发明公开了一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，属于宽带隙半导体材料领域。 本发明中，重掺杂p型GaN层接近刻蚀边界...

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比亚迪已经申请了电极及其生产方法和电化学器件的专利，可以满足快速充电性能或...活性层包括导电层和导电层中混合的多个PN结。PN结包括P型硅和与N型硅连接的P型硅，P型硅指向N型硅的方向为第一方向。在多个PN结中，预定数量的PN结的第一方向分量与集电体的法线方向一致。 通过布置有源层以包括导电层和混合在导电层中的多个PN结，并且布置预定数量的PN结...